SJT 10551-1994 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法
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ID： |
4E470C7034A245EA85AF4C67E04E0092 |
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文件大小(MB)： |
0.32 |
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页数： |
5 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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L 90,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 10551-94,电子陶瓷用三氧化二铝、二氧化钛、,二氧化错中杂质的发射,光谱分析方法,Method of emisson spectrochemical analysis of impurities in,Al203 ヽ TiC>2 and ZrO2 for use in electron ceramics,1994-08-08 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部发布,中华人民共和国电子行业标准,电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的,发射光谱分析方法,SJ/T 10551-94,Method of emisson spectrochemical analysis of impurities,in Al203 for use in electron ceramics,1主题内容与适用范 晟,11主题内容,本标准规定了电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法,12适用范围,本标准适用于电子陶瓷用三氧化二铝中二氧化硅、三氧化二铁、氧化镁、氧化钙等杂质的,测定,2方法提要,将三氧化二铝粉末样品经1000.120〇。C燉烧,使其转化为。型三氧化二铝,试样与碳粉,混合物（C，CuO = 3 t 0.D混合（试样i碳粉混合物=1，3）,以铜为内标,将被测试样和标准,样品的光谱摄在同一张光谱干板上,利用内标法进行杂质含量的测定,3试剂或材料,a.氧化二铝,b.三氧化二铁,c.氧化铜,d.氧化镁,e.氧化钙,f.二氢化硅,g.碳粉,h.光谱干板,光谱纯;,分析纯;,分析纯;,分析纯;,分析纯;,分析纯;,光谱纯;,国产H型;,米吐尔―海德路显影液和定影液（按光谱感光板使用说明书配方配制）;,i.石墨电极 光谱纯,直径6t号mm,4仪器或设备,a.中型摄谱仪;,中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-01 实施,1,SJ/T 10551—94,b,直流电弧发生器;,c.测微光度计;,d?映谱仪;,分析天平感量10セ;,高温炉1000C以上;,g- 高铝瓷生摒或钳生摒;,聚四氟乙烯研钵或有机玻璃研钵;,秒表;,J- 车制石墨电极用小车床,5试样,5.1标样配制,将光谱纯三氧化二铝粉置于高铝瓷珀塀或柏玷埸中,于1000.1200C高温炉中煨烧2h,将分析纯三氧化二铁、二氧化硅、氧化镁、氧化钙分别置于地烟中,于高温炉中300C烘烤2h,取出冷却至室温,30min之内使用。按照测定含量范围配主标样,用基体光谱纯三氧化二铝逐,步稀释,配制成一套包含5个点的标样,其含量见表,将欲测样品置于高铝瓷珀蜗或钳珀蜗中,于1000.1200C高温炉中煨烧2h,取出冷却至,室温,30min内使用,6分析步骤,6-1将标样和试样分别与祓粉混合物以1 : 3混合,将混合物置于聚四氟乙烯或有机玻璃研,钵中研磨均匀（标样研磨!h以上,样品研磨30min）,以填塞法装入下电极至填满压平磨光为,止,6-2采用三透镜照明系统摄谱,直流电弧阳极激发,电压220V,电流强度8A,狭缝宽度,10*m,遮光板3. 2mm,曝光35s,每个样品摄谱三次。将I型感光板在米吐尔一海德路显影液,中显影2.4min,温度为18.20。。,然后定影、水洗、干燥,〇,u,SJ/T 10551-94,蛇.4,',6士。?2 -----,下电极,7分析结果的计算,在测微光度计上,测量分析线对的黑度,绘制AS-lgC工作曲线,由工作曲线査岀试样中杂,质的含量,△SSW）为分析线黑度与内标线黑度之差,IgC为标准样品中分析元素含量的对数,分析线对与测定含量范围见表2,表2,测定成分,分析线对波长,nm 测定范围,%,分析元素比较元素,Fe203 Fe248. 814 Cu249. 215 〇. 01〇.〇. 016,SiO2 Si251.921 Cu249. 215 0. 02010.32,CaO Ca317* 983 Cu319.410 〇. 03〇.0.48,MgO Mg277. 983 Cu249. 215 〇. 01〇.0J6,8精密度或允许差,.1精密度,根据11块感光板测定数据的计算结果,相对标准偏差在15%以内,8-2准确度,当标样与试样粒度和组织结构相似时,准确度接近精密度,3,SJ/T 10551-94,附加说明,本标准由电子工业部标准化研究所归ロ 〇,本标准由电子工业部标准化研究所负责起草,本标准主要起草人:王玉功、刘承钧、罗绍棠、王秀文、李国喜,4……
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